Existen muchos transistores NPN, como el 2N3045, etc., pero uno de los más conocidos y usados es el 2N3055. Este transistor bipolar es de propósito general para circuitos de potencia. Se crea mediante procesos de epitaxia para crecer las capas semiconductoras de las que se compone y luego se encapsula en un package de metal.
Ciertamente no hay gran cantidad de información sobre este dispositivo semiconductor, puesto que no es muy complejo, pero te contamos todo lo que debes saber sobre él para que puedas añadirlo en tus futuras implementaciones de tus circuitos y proyectos más interesantes.
Características y pinout del 2n3055
Como otros transistores, El 2N3055 tiene 3 conexiones para el emisor, base y colector. Esto ya lo hemos comentado en otros artículos sobre transistores. Por tanto, cero dudas sobre el pinout de este transistor NPN. La configuración es la del pin 1 para la base, para ser usada como interruptor para que la corriente pase o no a través del semiconductor, el pin 2 es el emisor (normalmente conectado a GND o tierra), y el colector que realmente es el TAB puesto que no hay un tercer pin (normalmente conectado a la corriente).
El transistor 2n3055 se puede usar para circuitos de media potencia, es seguro, tiene una baja saturación entre el voltaje del colector-emisor, el empaquetado está disponible libre de plomo, tiene una ganancia de más de 70 hFE para corriente continua (lineal), el máximo voltaje que puede manejar o pasar a través del colector y emisor es de 60v para CC, igual que la máxima corriente que puede pasar a través del colector es de 15A en continua.
Para la base, los límites están en 7v (base-emisor) y 7A de corriente continua en ambos casos. En el caso del voltaje entre el colector y la base puede llegar a los 100v. Si atendemos a la temperatura a la que puede operar, el rango está entre los -65 a +200ºC. Por tanto, trabaja a extremas temperaturas sin problema, algo que no todos los dispositivos electrónicos toleran, especialmente si te fijas en la temperatura máxima soportada. Por cierto, en cuanto a disipación de potencia, llega a los 115W, nada despreciable…
Resumen de características:
- Tipo: NPN
- Para circuitos de media potencia
- Ganancia 70 hFE
- Colector-emisor 60v CC
- Corriente colector 15 A CC
- Base-emisor 7v
- Base 7A
- Colector-base 100v
- Temperatura operacional -65 a +200ºC
- Potencia disipada 115W
- Encapsulado metálico
Equivalentes y complementarios
Existen algunos transistores equivalentes para el 2n3055. Los puedes usar como sustitutos como el 2n6673 y el 2n6675. Otros transistores similares, aunque no iguales, son el MJ10023, BUX98 y BDW51. Sin problema puedes usarlos en tus circuitos como alternativa, ahora bien, deberías leer bien las datasheets de todos ellos para ver las posibles diferencias, puesto que tal vez no sean las mismas en algunos casos y podría generar problemas en casos extremos.
Si te preguntas por el complementario, es decir, el contrario, puedes ver el MJ2955. En éste caso, se trata de un transistor casi hermano, idéntico en muchas de las características descritas en el apartado anterior, pero es un PNP bipolar en vez de un NPN. Conocer los complementarios a veces nos puede ayudar mucho en nuestras composiciones de circuitos, por eso siempre lo incluimos en nuestros posts.
Datasheets
Para componer tus circuitos de forma segura y manteniendo los rangos admitidos por este dispositivo, deberías ver los datasheets de estos dispositivos. Puede estar fabricado por fabricantes muy diversos, y todos ellos tienen su datasheet propio en el que podría haber algunas diferencias. Freescale, STMicroelectronics, y Siemens son algunos de los fabricantes más conocidos, aunque hay más.
Para que tus futuros circuitos de switching de potencia, amplificadores, PWM, reguladores, amplificadores de señal, y el largo etc. de circuitos que se pueden componer con el 2n3055, puedes obtener aquí los datasheets:
- Varios datasheets de diversos fabricantes.
- ON Semiconductor 2n3055: ya que otras veces hemos usado el datasheet de ON Semiconductor para otros dispositivos electrónicos, aquí está el datasheet de esta compañía para el transistor en cuestión…