El Nuvoton NuMicro M2L31 yra mikrovaldiklių šeima su galingu Arm Cortex-M23 branduoliu ir unikalia atminties funkcija. Tai vienas pirmųjų, naudojančių ReRAM – greitos ir patvarios atminties tipą. Šie mikrovaldikliai skirti mažoms energijos sąnaudoms ir įvairioms reikmėms – nuo pramoninės automatikos iki variklio valdymo.
Be to, tai ReRAM yra tai, kas daro juos tikrai įdomius ir ypatingus palyginti su kitais panašiais produktais. Dėl savo dydžio, pramoninio pritaikymo ir kitų tipų projektų, atsižvelgiant į jos turtingumą ir universalumą, itin išbaigta lenta. Norite sužinoti kodėl?
Nuvoton NuMicro M2L31 techninės specifikacijos
Dėl Šio NuvoTon modulio techninės specifikacijos, tiesa ta, kad galite rasti įvairių variantų, su skirtingo dydžio ReRAM atmintimi ir viską, ką galima įsigyti iš to paties NuvoTon oficiali svetainė už kainą nuo 36 USD:
- Mikrovaldiklis
- Rankena Cortex-M23 su vieno branduolio @ 72 Mhz
- Atmintis
- Nuo 40 KB iki 512 KB įterptosios ReRAM
- Iki 168 KB SRAM su 40 KB pariteto tikrinimui
- Nepriklausomas 4/8 KB mažos galios SRAM
- 8KB LDROM
- 4x eXecute-Only-Memory (XOM) regionai
- 4x atminties apsaugos bloko (MPU) regionai
- Periferinės jungtys
- USB prievadai
- USB 2.0 OTG / pagrindinis kompiuteris / įrenginys su 1024 baitų buferiu
- Suderinamas su USB-C (Rev.2.1) ir įkrovimui
- Iki 8x UART sąsajos su LIN ir IrDA
- 1x mažos galios UART sąsaja
- Iki 2x USCI (UART / SPI / I²C)
- Iki 4x I2C + 1x mažos galios I2C (400 kbps)
- Iki 4x SPI/I2S (maks. 36 MHz) + 1x mažos galios SPI (maks. 12 MHz)
- 1x Quad Serial Peripheral Interface (QSPI)
- Iki 1x išorinė magistralės sąsaja (EBI)
- Iki 2x CAN FD valdiklių
- Iki 16 kartų jutikliniai klavišai su vienu nuskaitymu arba programuojamu periodu, 5 V
- USB prievadai
- Analoginis
- Integruotas atskaitos įtampos valdymas
- Integruotas temperatūros jutiklis
- 1x 12 bitų SAR ADC iki 24 kanalų 3.42 MSPS
- Iki 2x DAC (12 bitų, 1 MSPS buferinis)
- 3x 6 bitų DAC bėgių ir bėgių lygintuvai
- Iki 3x operacijų stiprintuvai
- Valdymo sąsaja
- Reguliuojama įtampos sąsaja (VAI)
- Iki 2 kartų patobulintos kvadratūros kodavimo sąsajos (EQEI)
- Iki 2 kartų įvesties patobulintos įvesties fiksavimo laikmačiai (ECAP)
- PDMA
- Iki 16 kanalų DMA periferiniams įrenginiams
- Apsaugos funkcijos
- Ciklinio pertekliaus skaičiavimo vienetas
- 128/192/256 bitų AES šifravimas
- Tikrųjų atsitiktinių skaičių generatorius (TRNG)
- Pseudoatsitiktinių skaičių generatorius (PRNG)
- Iki 3x Tamper kaiščiai
- Laikmačiai
- 32x PWM išėjimai
- 4x 24 bitų laikmačiai, nepriklausomos PWM išvesties palaikymas
- 12 kartų patobulintas PWM (EPWM) su dvylika 16 bitų skaitiklių ir iki 72 MHz laikrodžio šaltiniui
- 12x PWM su šešiais 16 bitų laikmačiais, iki 144 MHz laikrodžio šaltiniui
- 2x 24 bitų mažo suvartojimo laikmačiai
- 2x Tikrinimo laikmačiai
- 1x 24 bitų SysTick atgalinės atskaitos laikmatis
- Sarginis šuo
- lango sargas
- laikrodžio signalai
- Kristalinis osciliatorius (Xtal) nuo 4 iki 32 MHz
- 32.768 kHz osciliatorius RTC laikrodžiui
- Vidinis 12 MHz RC generatorius su ±2% nuokrypiu esant -40~105°C
- Vidinis 48 MHz RC generatorius su ±2.5% nuokrypiu esant -40~105°C
- 1–8 MHz vidinis MIRC su ±10 % nuokrypiu esant -40–105 °C
- Vidinis 32 kHz RC generatorius su ±10% nuokrypiu
- Vidinis PLL iki 144 MHz
- Darbinė įtampa
- Nuo 1.71 V iki 3.6 V
- Vartojimas
- Normalus: 60 μA/MHz @ 72 MHz
- IDLE režimas: 33μA/MHz @ 25°C/3.0V, išjungus visus periferinius įrenginius
- NPD be maitinimo blokavimo (NPD2 režimas): 55 uA, @ 25 °C/3.0 V
- NPD be maitinimo blokavimo (NPD4 režimas): 9 uA, @ 25 °C/3.0 V
- SPD su 40 KB sulaikymu SRAM: 1.7 uA, @ 25 °C / 3.0 V
- DPD: 0.54 uA prie 25 °C / 3.0 V, išjungus RTC ir LXT
- Lustų pakuotės pasirinkimas (kiekviena galima su skirtingomis ReRAM talpomis):
- WLCSP 25 (2.5 × 2.5 mm)
- QFN32 (5x5 mm)
- LQFP48 (7x7 mm)
- QFN 48 (5x5 mm)
- WLCSP 49 (3x3 mm)
- LQFP64 (7x7 mm)
- LQFP128 (14 × 14 mm)
- Palaikomas darbinės temperatūros diapazonas
- Nuo -40°C iki +105°C
Kas yra ReRAM? Nes tai įdomu?
La ReRAM (varžinė atsitiktinės prieigos atmintis) yra nepastoviosios (NV) atminties rūšis, kuri veikia keičiant kietojo kūno dielektrinės medžiagos varžą. Ši technologija pristatoma kaip alternatyva tradicinėms „flash“ atmintinėms, tokioms kaip NAND Flash ir DRAM, turinti keletą privalumų:
- Pagreitinti- ReRAM siūlo labai greitą skaitymo ir rašymo greitį, net greitesnį nei DRAM. Taip yra todėl, kad prieš rašant nereikia ištrinti puslapio, kaip tai daro tradicinės „flash“ atmintinės.
- Patvarumas- Turi didesnį atsparumą rašymo ir trynimo ciklams nei tradicinės „flash“ atmintinės. Tai reiškia, kad jis gali išlaikyti daugiau įrašų prieš sugesdamas, todėl jis idealiai tinka programoms, kurioms reikia dažnai atnaujinti duomenis ir būti patikimiems.
- Mažos energijos sąnaudos- Tiek skaitymo, tiek rašymo režimais sunaudoja mažiau energijos nei tradicinės „flash“ atmintinės. Dėl to jis yra geras pasirinkimas baterijomis arba saulės energija varomoms programoms.
Tačiau reikia pasakyti, kad tokio tipo atmintis yra gana brangi ir yra gana ankstyvoje kūrimo stadijoje. Daugiausia naudojamas MCU pagrįstiems įrenginiams, tokiems kaip šis, ir pramonėje ar kitose srityse. Bet tai nėra subrendusi atmintis, skirta naudoti kompiuteriuose...