Существует много NPN-транзисторов, таких как 2N3045 и т. Д., Но одним из самых известных и используемых является 2N3055. Этот биполярный транзистор общего назначения для силовых цепей. Он создается посредством процессов эпитаксии для выращивания полупроводниковых слоев, из которых он состоит, и затем помещается в металлический корпус.
Информации об этом полупроводниковом приборе конечно не так много, так как он не очень сложный, но вы мы расскажем все, что вам нужно знать о нем так что вы можете добавить его в свои будущие реализации ваших схем и более интересных проектов.
Характеристики и распиновка 2n3055
Как и другие транзисторы, El 2N3055 имеет 3 подключения для эмиттера, базы и коллектора. Мы уже обсуждали это в других статьях о транзисторах. Поэтому ноль сомнений в распиновке этого NPN транзистора. Конфигурация аналогична контакту 1 для базы, который будет использоваться в качестве переключателя для тока, проходящего через полупроводник или нет, контакт 2 является эмиттером (обычно соединенным с GND или землей), а коллектор, который на самом деле является TAB так как третьего пина нет (нормально подключен к питанию).
Можно использовать транзистор 2n3055 для цепей средней мощности, он безопасен, он имеет низкое насыщение между напряжением коллектор-эмиттер, доступна упаковка без свинца, он имеет коэффициент усиления более 70 hFE для постоянного тока (линейный), максимальное напряжение, которое может выдерживать или пропускать коллектор и эмиттер - 60 В для постоянного тока, такой же максимальный ток, который может проходить через коллектор, составляет 15 А.
Для базы ограничения в обоих случаях составляют 7 В (база-эмиттер) и 7 А постоянного тока. В случае наличия напряжения между коллектором и базой оно может достигать 100 В. Если мы посмотрим на температуру, при которой он может работать, диапазон будет между От -65 до + 200ºC. Таким образом, он без проблем работает при экстремальных температурах, что терпят не все электронные устройства, особенно если вы посмотрите на максимальную поддерживаемую температуру. Кстати, по рассеиваемой мощности она достигает 115Вт, что немаловажно ...
Обзор функций:
- Тип: NPN
- Для цепей средней мощности
- Увеличение 70 hFE
- Коллектор-эмиттер 60в DC
- Ток коллектора 15 А постоянного тока
- База-эмиттер 7в
- База 7А
- Коллектор-база 100в
- Рабочая температура от -65 до + 200ºC
- Рассеиваемая мощность 115 Вт
- Металлическая оболочка
Эквивалентные и дополнительные
Для 2n3055 есть эквивалентные транзисторы. Вы можете использовать их как заменители типа 2n6673 и 2n6675. Другие подобные транзисторы, хотя и не такие, - это MJ10023, BUX98 и BDW51. Вы можете без проблем использовать их в своих схемах в качестве альтернативы, теперь вы должны хорошо прочитать таблицы данных всех из них, чтобы увидеть возможные различия, поскольку они могут быть разными в некоторых случаях и могут создавать проблемы в крайних случаях.
Если вам интересно о дополнительный, то есть наоборот, вы можете увидеть MJ2955. В данном случае это почти сестринский транзистор, идентичный по многим характеристикам, описанным в предыдущем разделе, но это биполярный PNP вместо NPN. Знание дополнений иногда может очень помочь нам в составлении схем, поэтому мы всегда включаем их в наши сообщения.
Даташит
к безопасно составлять схемы и поддерживать поддерживаемые диапазоны Для этого устройства вы должны увидеть спецификации этих устройств. Они могут быть изготовлены самыми разными производителями, и у всех из них есть свои спецификации, в которых могут быть некоторые различия. Freescale, STMicroelectronics и Siemens - одни из самых известных производителей, хотя их больше.
Так что ваши будущие схемы переключения мощности, усилители, ШИМ, регуляторы, усилители сигналов и т. Д. схем, которые могут быть составлены с помощью 2n3055, вы можете получить спецификации здесь:
- Различные таблицы данных от различных производителей.
- Компания ON Semiconductor 2n3055: поскольку в других случаях мы использовали техническое описание ON Semiconductor для других электронных устройств, вот техническое описание этой компании для рассматриваемого транзистора ...