2N3045などの多くのNPNトランジスタがありますが、最もよく知られていて使用されているもののXNUMXつは 2N3055。 このバイポーラトランジスタは、電源回路の汎用です。 これは、エピタキシープロセスによって作成され、それを構成する半導体層を成長させてから、金属パッケージにカプセル化されます。
この半導体デバイスはそれほど複雑ではないので、確かに多くの情報はありませんが、あなたは 私たちはあなたが彼について知る必要があるすべてを伝えます 回路の将来の実装やより興味深いプロジェクトに追加できるようにします。
2n3055の機能とピン配置
他のトランジスタと同様に、El 2N3055には3つの接続があります エミッター、ベース、コレクター用。 これについては、トランジスタに関する他の記事ですでに説明しました。 したがって、このNPNトランジスタのピン配置については疑いの余地はありません。 構成は、電流が半導体を通過するかどうかのスイッチとして使用されるベースのピン1の構成であり、ピン2はエミッタ（通常はGNDまたはグランドに接続）であり、コレクタは実際にはTABです。 XNUMX番目のピンがないため（通常は電源に接続されています）。
2n3055トランジスタを使用できます 中電力回路用、安全で、コレクターとエミッターの電圧間の飽和度が低く、パッケージは鉛フリーで入手可能で、直流（線形）で70 hFE以上のゲインがあり、処理または通過できる最大電圧です。コレクターとエミッターはDCの場合60vであり、コレクターを通過できる最大電流が連続的に15Aであるのと同じです。
ベースの場合、制限はどちらの場合も7v（ベースエミッタ）と7ADCです。 コレクターとベース間の電圧の場合、100vに達する可能性があります。 それが動作できる温度を見ると、範囲は -65〜 +200ºC。 したがって、極端な温度でも問題なく動作します。これは、特にサポートされている最大温度を見ると、すべての電子機器が許容できるわけではありません。 ちなみに、消費電力に関しては、115Wに達し、無視できません...
機能の概要：
- タイプ：NPN
- 中電力回路用
- 70hFEを得る
- コレクター-エミッター60vDC
- コレクタ電流15A DC
- ベースエミッタ7v
- ベース7A
- コレクターベース100v
- 動作温度-65〜 +200ºC
- 消費電力115W
- 金属カプセル化
同等かつ補完的
2n3055には同等のトランジスタがいくつかあります。 あなたはそれらをとして使うことができます 2n6673や2n6675のような代替品。 他の類似しているが同じではないトランジスタは、MJ10023、BUX98、およびBDW51です。 問題なく、代替として回路でそれらを使用できます。これらはすべて同じではない場合があり、極端な場合には問題が発生する可能性があるため、すべてのデータシートをよく読んで、考えられる違いを確認する必要があります。
あなたがについて疑問に思うなら 補完的、つまり反対に、MJ2955XNUMXを見ることができます。 この場合、これはほぼ姉妹トランジスタであり、前のセクションで説明した特性の多くが同じですが、NPNではなくバイポーラPNPです。 補数を知ることは、回路構成に大いに役立つことがあります。そのため、常にそれを投稿に含めています。
データシート
へ 回路を安全に構成し、サポートされている範囲を維持します このデバイスについては、これらのデバイスのデータシートが表示されます。 それは非常に異なるメーカーによって製造される可能性があり、それらのすべてには、いくつかの違いがある可能性がある独自のデータシートがあります。 Freescale、STMicroelectronics、およびSiemensは、他にもありますが、最も有名なメーカーの一部です。
そのため、将来のパワースイッチング回路、アンプ、PWM、レギュレーター、信号アンプ、およびロングなど。 2n3055で構成できる回路の ここでデータシートを入手してください:
- さまざまなデータシート さまざまなメーカーから。
- オン・セミコンダクター2n3055：他の電子機器にオン・セミコンダクターのデータシートを使用したことがあるので、これが問題のトランジスターに関するこの会社のデータシートです...