La RAM 计算机的性能是最重要,最令人垂涎的元素之一,因为它可以为您的系统带来速度。 此外,RAM的类型很多,每种RAM具有一定的特性,用户必须监视这些特性才能知道该模块是否与他们的设备兼容,或者它是否会提供或多或少的性能。 对于大多数用户而言,许多这些技术特征是完全未知的。
因此,在本文中,我向您展示了有关RAM内存所需的所有知识,以便下次购买模块来扩展计算机的内存时,它不会为您带来任何秘密。 如果你想 成为真正的记忆“专家” RAM类型,请继续阅读...
小德历史
背景
该 电脑需要内存 存储程序(数据和指令)。 最初,30年代的计算机使用打孔卡。 它们是硬纸板或其他具有战略意义的孔的材料,以便计算机可以将这些孔解释为二进制代码。 这样,程序就被加载了。 是一个女人想出了这些打孔卡,特别是 艾达·洛芙蕾丝(Ada Byron)。 艾达被认为是 第一位程序员 历史,因为他的工作使查尔斯·巴贝奇(Charles Babbage)著名的分析引擎变得有用。
机器逐渐发展。 随着1946年ENIAC的到来, 真空阀 建立 带触发器的记忆。 这些阀门由于不可靠而造成许多问题,它们的结构类似于灯泡,并且像这样烧坏,因此必须经常更换。 另外,它们被加热并消耗大量能量。
需要一些不同的东西 电子 如果你想进步。 1953年,铁氧体存储器开始使用。 直到1968年,IBM才设计出了 第一个基于半导体的存储器。 这种固态存储器解决了以前的问题,提供了更高的可靠性,耐用性和更快的速度。 它具有64位容量,但最有趣的是第一批存储芯片仍在这里。
在很多历史上, 不同的内存格式,例如磁带,软盘,光学介质(CD,DVD等),第一个磁性硬盘驱动器(HDD),半导体存储器(SSD,RAM,寄存器,缓冲区/缓存,ROM等)等。
在这一点上,必须说过去 记忆体水平。 程序所在的中央存储器。 但是随着计算的发展,直到诸如RAM之类的快速存储器出现之前,各种类型的其他可编程存储器也被包括在内。
RAM的到来
当RAM出现时,计算机开始具有两层内存。 一方面,存在着更大的容量,更低的速度和更便宜的内存,因为 二级记忆。 该二级存储器是硬盘,目前已从磁性硬盘(HDD)演变为当前基于半导体或SSD的固态硬盘。
虽然 主存储器或主存储器就是我们所说的RAM (随机存取存储器或随机存取存储器)。 该存储器的速度是辅助存储器的几倍,但是其容量却要低得多,因为它的价格较高,而且拥有非常大的容量是不切实际的。
通过在辅助存储器和处理单元之间具有更快的中间存储器,可以补充大容量的辅助存储器来存储我们的程序和数据,从而可以在不牺牲大容量的情况下提供额外的速度。 在RAM中,他们会去 从正在运行的进程或程序中加载指令和数据 这样CPU可以访问它们而无需访问辅助内存,这会慢很多。
另外,RAM是一种 易失性存储器 如果卸下电源,它将丢失其内容。 仅具有这种类型的内存是不切实际的,因为每次关闭设备时,所有内容都会丢失。 这就是为什么二级存储器仍然如此必要的原因。 它们是永久性存储器,不需要恒定的电源来存储值。
如果您喜欢历史, RAM时间轴 归纳为:
- 最早的RAM存储器之一是 磁芯 1949年。每一位存储在铁磁材料的环形中。 每块直径为几毫米,因此占用了大量空间并限制了容量。 但是对于这种类型的随机存取存储器,它绝对比中继线和延迟线更好。
- 1969年,第一批采用Intel半导体制造的RAM出现了。 使用3101 64位等芯片。 第二年,他提出了 DRAM内存 1 KB(芯片1103),奠定了当前随机存取存储器的基础。 实际上,DRAM将成为标准,因此IBM的发明接管了整个行业。
- 数年后,随着芯片的容量和性能的提高,它们将继续小型化,直到SIPP和DIP开始被丢弃以开始使用当前的芯片。 SIMM模块 (单列直插式内存模块),即所有触点在一侧的模块。 这样就很容易更改RAM并像添加扩展卡一样添加它们。
- 在80年代后期,处理器技术使处理器比RAM快得多, 瓶颈。 有必要增加滞后存储芯片的带宽和访问速度。
- 众多技术 开始出现以最小化此瓶颈,例如受英特尔80486突发模式启发的FPM RAM(快速页面模式RAM)技术。一种寻址模式,可改善访问速度,访问时间为70或60 ns。
- EDO RAM, o扩展数据输出,将在1994年发布,访问时间为40或30 ns。 在此基础上的改进是BEDO,Burst EDO,比EDO提高了50%。
- 该 更快的记忆 它们是微处理器的,例如基于单元的寄存器SRAM(静态RAM)。 但是,使用它们实现强大的功能非常昂贵,因此尽管它们具有出色的性能,但它们并不实用。 这就是为什么它们被降级到较小的缓冲区或非常小的CPU寄存器的原因。 因此,EDO,BEDO,FPM仍然是DRAM类型。
- 1992年,三星制造了第一款商用芯片 SDRAM, (同步动态RAM),当前标准。
- 从这里开始,所有RAM都基于SDRAM存储单元。 第一个出现的是 Rambus公司 来自英特尔,它在便宜的SDR RAM(单数据速率RAM)面前毫发无损。
- 为了提高以前的产品的性能,而又不像Rambus那样提高价格, DDR将到达 (双数据速率)。 DDR允许在每个时钟周期中同时在两个通道上传输,从而使SDR的性能提高了一倍。
- 从DDR那里,您知道历史如何随着DDR的出现而延续 DDR2,DDR3,DDR4,DDR5,...
...但是还不够
计算需要越来越多的性能。 这 HDD已演变为SSD 快多了。 微处理器开始在功能单元和RAM之间包括自己的快速存储器。 这样,他们可以为它们加载数据和指令以进行更多即时访问,而不必每次需要时都直接进入RAM。
我指的是这些记忆 高速缓存存储器,充当CPU和RAM之间的缓冲区的缓冲区。 必须说,过去您可以购买诸如RAM之类的缓存模块,并且可以根据需要添加。 像旧的协处理器或FPU之类的东西,它们没有集成在CPU芯片本身中。 但是随着时间的流逝,它们被集成到处理器包本身中(例如,参见Intel Pentium Pro),并最终成为与当前微处理器相同的IC的一部分。
这些缓存存储器 一直在增长,例如当前的L1(对指令/数据而言是统一的或单独的),统一的L2,L3等。 不仅如此,在微处理器之外,还正在努力以某种方式加快对数据和指令的访问,例如Intel Octant模块和其他类型的缓冲区,但这是另一回事了……
DDR SDRAM
将您置于背景之中,您已经知道直到 当前的DDR SDRAM。 现在,我们将看到存在的类型及其特征。 必须说,与主要使用其RAMBUS的Intel Pentium 4相比,AMD Athlon是第一个支持便宜的DDR的公司。 面对基于AMD的计算机的销售和性能,英特尔也被迫采用DDR ...
类型
根据DDR版本
该 DDR版本 允许不同的回报:
- DDR:PC-xxxx表示模块的带宽,例如,如果是PC-1600,则由100.000.000 hz(100 Mhz总线)乘以2(即双数据速率)x 8字节= 1600 MB / s或1.6 GB得出/ s传输。
- DDR-200(PC-1600):具有100 Mhz总线和200 Mhz I / O。 它的名称来自其1600 MB / s或1.6 GB / s的传输。
- DDR-266(PC-2100):具有133 Mhz总线和266 Mhz I / O。 传输容量为2.1 GB / s。
- DDR-333(PC-2700):具有166 Mhz总线和333 Mhz I / O。 传输容量为2.7 GB / s。
- DDR-400(PC-3200):具有200 Mhz总线和400 Mhz I / O。 总共有3.2 GB / s的最大传输量。
- DDR2:每个周期使用4位,即2向和2向后。 这提高了先前DDR1的潜力。
- 从DDR2-333(PC2-2600):它与100 Mhz基本总线一起工作,具有166 Mhz I / O,使其传输容量为2.6 GB / s。 存取时间为10 ns。
- 高达DDR2-1200(PC2-9600):总线高达300Mhz,I / O和600GB / s传输速度高达9.6Mhz。 存取时间为3,3ns。
- DDR3:尽管延迟时间更长,但与DDR2相比,它具有更高的传输速度和工作速度。
- 从DDR3-1066(PC3-8500):133 Mhz总线,533 Mhz I / O,8.5 GB / s传输速度。 7.5 ns的访问时间。
- 高达DDR3-2200(PC3-18000):350 Mhz总线,1100 Mhz I / O和18 GB / s的传输速度。 存取时间为3.3 ns。
- DDR4:与以前相比,电源电压更低,传输速率更高。 不幸的是,它具有更高的延迟,从而降低了所有其他条件相同的性能。
- 从DDR4-1600(PC4-12800):具有200 Mhz的基本总线,1600 Mhz的I / O和12.8 GB / s的传输速度。
- 高达DDR4-2666(PC4-21300):具有333 Mhz的基本总线,2666 Mhz的I / O和21.3 GB / s的传输速度。
- DDR5,DDR6,DDR7 ...: 不久的将来。
根据模块类型
MGI SIMM模块演变为当前的DIMM,分为:
- DIMM(双列直插式内存模块):两侧带有触点的内存模块,允许更多数量的触点。 它们是使用台式计算机的计算机。
- SO-DIMM(小尺寸DIMM)-这是常规DIMM的缩小版本,即用于较小计算机的较短模块。 它们用于笔记本电脑,具有mini-ITX等小型尺寸的miniPC的主板等。
无论是DIMM还是SO-DIMM,它们的容量,特性和类型都可能不同。 这不会改变任何东西。
根据渠道
RAM内存模块 可以分组 一辆或多辆公共汽车:
- 单存储通道:将所有内存模块组合到一个插槽组中,共享同一条总线。
- 双存储通道-主板上有两个独立的内存插槽组。 可以将模块插入具有两个单独总线的这两个通道中,以提供更大的带宽,从而提供更高的性能。 例如,如果您拥有带有集成GPU的APU或Intel,则可以通过允许CPU MMU访问一条总线,而GPU内存控制器访问另一条总线而又不干扰这两者来带来很多好处。
- 四通道内存通道当访问需求高得多时,有可能找到具有四个通道的主板,尽管如果没有真正利用此能力,具有四个通道并不总是能够提供预期的性能。
潜伏
最后,当您要扩展RAM内存时,除了已经看到的功能以外,还有许多功能可能会在购买正确的功能时使您感到困惑。 我是说 潜伏期,CAS,RAS等。 至于电压和模块类型,事实是这将取决于主板的兼容性和所选的内存类型。 您应该阅读主板的手册,以了解芯片组支持的内存以及模块的类型。
您也可以查看已安装的一个或多个内存模块,以了解如何获取类似的模块以对其进行扩展,并且具有相同的特性并且兼容。
RAM的速度始终与两个因素有关,一个是 时钟频率,另一个是延迟。 延迟是访问(写入或读取)所花费的时间。 并且可能存在具有不同延迟的相同类型的模块,这使用户感到困惑,因为他们认为如果安装具有不同延迟的模块将不兼容,或者会影响或不影响...我要在这里尝试澄清的内容。
首先你必须 清楚RAM的工作原理当需要访问特定的存储块(即存储数据的一部分存储器)时,该存储器按行和列分布。 通过激活适当的行和列选择行,您可以编写或读取所需的任何内容。 但是要使这些访问操作发生,它们需要经过几个周期才能执行延迟操作的操作。 那就是等待时间。
我如何知道模块的延迟? 好吧,您可能已经注意到,模块的标记类型为16-18-18-35或类似标记,这些延迟以纳秒为单位。 每个数字根据其所处的位置具有其含义:
- 16:第一个值也可以显示为CL或CAS Latency,它大致表示处理器从RAM请求数据到定位并发送数据之间的时间。
- 18:第二个数字可以找到为TRCD或RAS到CAS Latency,该数字表示内存行(RAS)和列(CAS)的位置与激活之间的时间,请记住,内存的组织方式就像是棋盘。
- 18:第三个数字可以找到为TRP或RAS预充电,是指内存进行换行(即停用当前正在使用的数据线并激活新线)所花费的时间。
- 35:最后,第四个值表示可以预充电的TRAS,Active或Active。 表示在内存可以重新访问数据之前要等待的时间。
何时 数字越小越好会更快。 如果您有一个带CL4和CL11模块的DDR9模块,毫无疑问,后者会更快。
您可以混合使用不同延迟的模块吗?
这是它的来历 世纪的问题,以及许多用户的困惑。 答案是肯定的。 如果您的DDR4模块具有相同的时钟频率,但计算机中安装了特定的CL,而您购买了另一个具有相同特性但具有不同CL的DDRXNUMX,则没有关系。 它将起作用,它们不会兼容,您的团队不会拒绝它。 延迟就像容量或品牌一样,模块之间可以有所不同而不会发生任何事情。
所以呢? 唯一的一件事是您可能无法获得最佳性能,或者视您的选择而有所降低。 我将通过示例向您解释。 想象一个实际案例,则说明您的计算机中装有Kingston DDR4 8GB 2400Mhz模块和CL14。 但是您想扩展RAM并以4Mhz和CL8的价格购买Corsair DDR2800 16GB。 您将拥有两个完全兼容的模块,您的团队会容忍它,并且它不会停止工作。 您将有16 GB的RAM工作。 但是...可能会发生几件事:
- 两个RAM模块均将其频率降低至JEDEC标准的默认配置文件,例如2133 Mhz。 也就是说,通过降低时钟频率并因此降低其传输速率,您的内存将变得有些慢。
- 模块的另一种选择是在延迟和频率上与现有模块匹配。 在这种情况下,两者都将以2800Mhz和最高CL工作,而不是2400 Mhz。
什么时候有问题? 使用双通道或四通道时。 在这种情况下,最好根据特性购买相同的模块(制造商的能力和品牌可能会有所不同)。
我需要多少内存?
好吧,总结一下 取决于每个用户的需求。 例如,如果您要使用办公软件,导航等,则4-8 GB可能就足够了。 但是,如果您想玩游戏,可能需要8-16GB。 如果要实现多个虚拟机,则可能需要32 GB或更多的空间……这是非常个人的事情。 没有神奇的公式可以满足您的需求。
重要的是要查看要经常使用的软件的推荐要求,以便正确选择硬件...
有一个公式可以帮助您选择最小的基本内存,以免安装数量少于应有的数量。 并经历 为每个CPU拥有的每个内核增加2 GB。 因此,如果您有四核,则至少应有8 GB。
很好解释
很好的文章,很好的解释。 如果双通道Chanel就是这种情况,每个人都会问我同样的事情…»百万美元的问题»…我有2个Kingston hyper X存储器,一个8GB在1866MHz,另一个4GB在1600MHz。 以双通道OK运行,但显然工作频率都限制在1600MHz且具有最高的延迟。 使用程序验证双通道操作是否以128位而不是64位进行。 感谢您对本文的工作。 问候